Застосовується до датчика тиску палива Common Rail 06E906051K

1. Спосіб формування датчика тиску, який включає:

Забезпечення напівпровідникової підкладки, в якій перший міжшаровий діелектричний шар, перший міжшаровий діелектричний шар і другий міжшаровий діелектричний шар сформовані на напівпровідниковій підкладці.

Нижня електродна пластина в першому міжшаровому діелектричному шарі, перший спільний електрод, розташований на тому ж шарі, що й нижня електродна пластина, і віддалений один від одного.

Сполучні шари;

Формування жертовного шару над нижньою полярною пластиною;

Формування верхньої електродної пластини на першому міжшаровому діелектричному шарі, першому з'єднувальному шарі та тимчасовому шарі;

Після формування жертовного шару і перед формуванням верхньої пластини в першому шарі з’єднання

Формування з'єднувальної канавки та заповнення з'єднувальної канавки верхньою пластиною для електричного з'єднання з першим з'єднувальним шаром;Або

Після формування верхньої електродної пластини утворюються сполучні канавки у верхній електродній пластині та першому з’єднувальному шарі, який

Формування провідного шару, що з'єднує верхню електродну пластину і перший з'єднувальний шар у сполучній канавці;

Після електричного з’єднання верхньої пластини та першого з’єднувального шару, видалення тимчасового шару для формування порожнини.

2. Спосіб формування датчика тиску за п. 1, який відрізняється тим, що в першому шарі

Спосіб формування тимчасового шару на міжшаровому діелектричному шарі включає наступні етапи:

Нанесення шару жертвуваного матеріалу на перший міжшаровий діелектричний шар;

Нанесення малюнка на шар жертвувального матеріалу для формування жертвувального шару.

3. Спосіб формування датчика тиску за п. 2, який відрізняється тим, що використовують фотолітографію та гравірування.

Шар жертовного матеріалу наноситься візерунком за допомогою процесу травлення.

4. Спосіб формування датчика тиску за п. 3, в якому витратний шар

Матеріалом є аморфний вуглець або германій.

5. Спосіб формування датчика тиску за п. 4, який відрізняється тим, що витратний шар

Матеріал - аморфний вуглець;

Гази для травлення, що використовуються в процесі травлення шару жертвуваного матеріалу, включають O2, CO, N2 і Ar;

Параметри процесу травлення шару жертвованого матеріалу: діапазон потоку O2 становить 18 SCCM ~ 22 SCCM, а швидкість потоку CO становить 10%.

Швидкість потоку коливається від 90 SCCM до 110 SCCM, швидкість потоку N2 коливається від 90 SCCM до 110 SCCM, а швидкість потоку Ar.

Діапазон становить 90 SCCM ~ 110 SCCM, діапазон тиску становить 90 ~ 110 мтор, а потужність зміщення становить

540 ~ 660 Вт.